武漢新瑞科電子科技有限公司成立于2000年，有著二十多年功率半導(dǎo)體的銷售經(jīng)驗(yàn),專注于通用/高壓變頻器、礦用變頻器、SVG/APF電能質(zhì)量,電源、電磁加熱/感應(yīng)加熱、機(jī)車牽引、電網(wǎng)輸配電、風(fēng)力發(fā)電、光伏發(fā)電、、電動(dòng)汽車等新能源行業(yè)應(yīng)用。我司提供強(qiáng)大的技術(shù)支持,常備大量庫(kù)存，歡迎選購(gòu)。13429930370程女士。

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。